Effects of ion bombardment on microcrystalline silicon growth by inductively coupled plasma assista

来源 :中国科学：物理学、力学、天文学英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zsz520

【摘要】

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Hydrogenated 微晶质的硅(c-Si : H ) 薄电影被劈啪作响的诱导地联合的血浆助手磁控管(ICPMS ) 在 Ar-H2 煤气的混合物扔。在 c-Si 的生长的离子轰炸的角色: H 电影与从散布

【作者】

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HE YangYang SU YuanJun ZHU Min

【机构】

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SchoolofPhysicsandMaterialsEngineering,KeyLaboratoryofMaterialsModificationbyLaser

【出处】

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中国科学：物理学、力学、天文学英文版

【发表日期】

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2012年11期

【关键词】

：

电感耦合等离子体磁控溅射法离子轰击微晶硅傅里叶变换红外光谱生长透射电子显微镜薄膜沉积 hydrogenated microcrystalline

【基金项目】

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This work was supported by the Cultivation Fund of the Key Scientific and Technical Innovation Project, Ministry of Education of China （Grant No. 707015）, the University Innovative Research Team Proje

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Hydrogenated 微晶质的硅(c-Si : H ) 薄电影被劈啪作响的诱导地联合的血浆助手磁控管(ICPMS ) 在 Ar-H2 煤气的混合物扔。在 c-Si 的生长的离子轰炸的角色: H 电影与从散布的 0～100 V.拉曼在底层持有者上增加否定偏爱电压被学习，X光检查衍射( XRD )， Fourier 变换红外线( FTIR )光谱学和传播电子显微镜学( TEM )被执行调查扔的 Si 电影的微观结构变化。散布的拉曼证明高精力离子轰炸导致了 Si 电影的水晶的降级。XRD 结果随离子轰炸精力

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