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超大规模集成电路设计工艺已进入深亚微米阶段，漏电流功耗已经成为不可忽视的部分，多阈值CMOS技术是一种降低电路漏电流功耗的有效方击，它通过接入高阔值MOS管来抑制低阈值模块的漏电流．本文利用多阈值技术实现电路的冗余抑制，设计了基于多闻值技术的CMOS可预置主从型单边沿、双边沿D触发器，模拟结果表明，设计的触发器能有效降低电路漏电流功耗，跟已有文献提出的可预置主从型触发器相比，可节省近15％的功耗。