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本文介绍了利用Ｘ射线光电谱仪测量金属及半导体材料功函数变化的一种新方法，在能 量分析器外半球的负扫描高压端接入一正偏压，即可利用样品二次电子发射边在能量轴上的移动 量确定样品功函数的变化．方法简单易行、利用已知功函数的标准样品亦可测功函数的绝对值。
用X射线光电子谱仪测量功函数变化的一种新方法
【摘 要】
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本文介绍了利用Ｘ射线光电谱仪测量金属及半导体材料功函数变化的一种新方法，在能 量分析器外半球的负扫描高压端接入一正偏压，即可利用样品二次电子发射边在能量轴上的移动 量确
【机 构】
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福州大学物理系
【出 处】
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福州大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1992年1期
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