【摘 要】
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在GaAs基底上制备了高质量的直径为10～100 nm、长度约几个微米的As掺杂ZnO纳米线.扫描电镜、EDX分析及透射电镜分析显示,ZnO纳米线具有较好的晶态结构.对As掺杂前后的ZnO纳米
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在GaAs基底上制备了高质量的直径为10～100 nm、长度约几个微米的As掺杂ZnO纳米线.扫描电镜、EDX分析及透射电镜分析显示,ZnO纳米线具有较好的晶态结构.对As掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量,结果表明,ZnO纳米线在385 nm处有较强的紫外发光峰,在505 nm左右有较弱的蓝绿发光峰;As掺杂较大地改变了ZnO纳米线的发光性质,使本征发光峰移到393 nm处,蓝绿发光强度有了很大程度的提高.
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