6H—SiC Schottky二极管的正向特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wangtao7897

【摘要】

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提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型，势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷，而界面层上的压降会使正向Schottky结

【作者】

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尚也淳刘忠立王姝睿

【机构】

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中国科学院半导体研究所微电子研究发展中心

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2003年5期

【关键词】

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Schottky结势垒不均匀性界面层二极管正向特性 6H-SIC SiC schottky contacts barrier height inhomo

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提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型，势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷，而界面层上的压降会使正向Schottky结的有效势垒增高．该模型能够对不同温度下SiC Schottky结正向特性很好地进行模拟，模拟结果和测量数据相符．它更适用于考虑器件温度变化的场合，从机理上说明了理想因子、有效势垒和温度的关系．

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