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探讨如何用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)设备制备非晶态氮化硅介质膜和光学膜.通过改变工艺条件中的微波功率、硅烷(SiH4)、氮气(N2)、氩气(Ar)流量、样品台温度等,控制和优化氮化硅(SiNx)折射率和生长速率,得到了各工艺条件对氮化硅(SiNx)折射率和生长速率影响曲线;通过测量用本方法制备的高反膜系的反射率,证实了镀光学膜时理论值与实际值符合的很好.