【摘 要】
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随着半导体技术的进步,晶圆的特征尺寸不断缩小,集成度大幅提高。硅晶圆正面制作完成集成电路后,进行背面减薄,使其达到所需要的厚度,可以降低器件热阻、提高工作散热及冷却
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随着半导体技术的进步,晶圆的特征尺寸不断缩小,集成度大幅提高。硅晶圆正面制作完成集成电路后,进行背面减薄,使其达到所需要的厚度,可以降低器件热阻、提高工作散热及冷却能力、便于封装,而功率器件芯片,更是需要在晶圆减薄后,进行背面金属沉积,以此作为电极,从而在封装的时候,可以从背面金属上接出引线。硅晶圆在背面研磨减薄后,表面会受到损伤,硅片应力极大,使得翘曲度也极大,容易碎片,因此需要进行背面硅腐蚀,去除损伤层,释放应力。硅腐蚀对背面金属的粘附性存在很大的影响,文章主要研究不同的硅腐蚀液及酸槽条件对背面金属粘
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