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建立等离子加热条件下单晶体生长环境的物理模型,划分网格,并对温度和速度的分布数值进行计算与分析,研究初始条件和边界条件的影响规律,进而获得单晶体生长的最佳参数和晶体生长炉的设计数据。结果表明:中心轴向温度在距离喷嘴入口65 mm左右处达到适合钛酸锶晶体生长熔点,确定了晶体在生长炉内的合理位置。
等离子体加热单晶体生长室内温度分布的数值模拟
【摘 要】
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建立等离子加热条件下单晶体生长环境的物理模型,划分网格,并对温度和速度的分布数值进行计算与分析,研究初始条件和边界条件的影响规律,进而获得单晶体生长的最佳参数和晶体
【机 构】
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沈阳工程学院新能源学院,沈阳工程学院研究生部
【出 处】
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沈阳工程学院学报:自然科学版
【发表日期】
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2021年1期
【基金项目】
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中央引导地方科技发展专项资金(2020JH6/10500069),2020年度沈阳市科学技术计划,重大科技成果转化专项(20-203-5-13)
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