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采用近年发展的两种电荷控制模型及改进的两区ｖ－Ｅ模型推导了“反向”器件模型，从直流Ｉ－Ｖ特性分析求解了Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ ＨＥＭＴ的结构参数，因非线性电荷控制模型有效地反映了２ＤＥＧ浓度ｎ。随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报道基本相符。
Al0.3Ga0.7As／GaAs HEMT结构参数优化提取
【摘 要】
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采用近年发展的两种电荷控制模型及改进的两区ｖ－Ｅ模型推导了“反向”器件模型，从直流Ｉ－Ｖ特性分析求解了Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ ＨＥＭＴ的结构参数，因非线性电荷控制模型有效地反映了２ＤＥＧ浓度ｎ。随栅压的实际变化，所提取
【机 构】
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电子科技大学微电子科学与工程系
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年7期
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