碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)作为第三代功率器件的代表,已被广泛用于小容量高频领域,其可靠性问题备受关注.结温过高是制约SiC MOSFET可靠性的重要因素.然而,碳化硅器件高开关频率增大了动态参数测量的难度和成本.与硅基器件相比,其导通压降和导通电阻等稳态参数对结温的敏感性较低.因此,主流的热敏电参数法无法有效地在线监测结温.已有研究表明:门极阈值电压与结温密切相关,但这种通过门极阈值电压监测结温的方法易受电流震荡影响且测量电路复杂,故监测效果差强人意.为此,文中提出一种新型的基于门极电压阈值检测的SiC MOSFET结温监测方法.首先,理论推导结温与门极阈值电压之间的解析表达式,发现其呈线性关系.其次,提出一种多项式拟合门极阈值电压测量方法,并设计与之匹配的电流采样测量电路.最后,通过基于H桥单相逆变电路的在线监测试验证明该方法的有效性.研究表明:新型结温监测方法具有以下突出优势:1)不易受开关过程震荡的影响,监测精度高;2)测量电路简单可靠,仅用采样电路和滤波器即可,毋需复杂的捕捉电路;3)对采样频率具有一定的容差性.