【摘 要】
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利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关
【基金项目】
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国家973计划项目资助课题（2006CB604902）,国家自然科学基金资助课题（60407009）,北京自然科学基金资助课题（4032007）,北京市人才强教计划项目资助课题（05002015200504）}北京工业大学博士启动基金项目资助课题（kz0204200387）
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利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。
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