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Ⅲ族金属元素(如Al,Ga和In)在si表面的吸附长期以来一直受到众多理论和实验研究者的关注,最近,该族最重的元素铊(T1)在Si(111)面吸附的独特性质引起了人们的极大兴趣.通过低能电子衍射(LEED),Visikovskiy等人发现T1吸附在Si(111)表面时由于外加直流电压极性的转换表面结构在(1×1)和(√3×√3)之间存在可逆的结构改变,