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Ⅲ族金属元素（如Al，Ga和In）在si表面的吸附长期以来一直受到众多理论和实验研究者的关注，最近，该族最重的元素铊（T1）在Si（111）面吸附的独特性质引起了人们的极大兴趣．通过低能电子衍射（LEED），Visikovskiy等人发现T1吸附在Si（111）表面时由于外加直流电压极性的转换表面结构在（1×1）和（√3×√3）之间存在可逆的结构改变，