【摘 要】
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利用在直流反应磁控溅射(DMS)技术基础上改进的能量过滤磁控溅射(EFMS)技术制备了ITO薄膜,并将其应用于顶发射有机电致发光器件(TOLED)的阳极.利用X射线衍射、原子力显微镜、
【机 构】
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郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 郑州450052郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室 郑州450052;河南城建学院数理学院 平顶山467036;
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利用在直流反应磁控溅射(DMS)技术基础上改进的能量过滤磁控溅射(EFMS)技术制备了ITO薄膜,并将其应用于顶发射有机电致发光器件(TOLED)的阳极.利用X射线衍射、原子力显微镜、椭圆偏振光谱仪和四探针方块电阻测试仪分析了薄膜的结构、表面形貌、光学和电学特性,利用自搭建的电压-电流密度-发光效率测试系统测量了TOLED器件的发光效率.结果表明,与DMS技术相比,EFMS技术可有效抑制对有机功能层的溅射损伤,制备的ITO薄膜表面更平整,晶粒尺寸更细小,而且具有优良的光学和电学性能(400～ 800 nm波长范围的平均透射率为87.1％;方块电阻低至4.56×10-4Ω·cm).以该薄膜为阳极的TOLED器件的发光效率显著提高,在3.26 mA/cm2的电流密度下发光效率达到0.09 lm/W.
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