高压IGBT的研制

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhshp123456
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介绍高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的终端和单元的设计与制造技术;实验验证了两种用于1000~1200VIGBT的高压终端,研制的芯片获得了7.5A,耐压1150V的实验结果。
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