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采用电子束蒸发法制备了NiO薄膜，并对其作为碲化镉薄膜太阳电池背接触缓冲层材料进行了相关研究．NiO缓冲层的加入使得碲化镉太阳电池开路电压显著增大．通过x射线光电子能谱测试得到的NiO／CdTe界面能带图表明NiO和CdTe的能带匹配度很好．NiO是宽禁带P型半导体材料，在电池背接触处形成背场，减少了电子在背表面处的复合，从而提高电池开路电压．通过优化NiO薄膜厚度，制备得到转换效率为12．2％、开路电压为789mV的碲化镉太阳电池．研究证实NiO是用来制备高转换效率、高稳定性碲化镉薄膜太阳电池的一种极有