【摘 要】
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当可触发的半导体激光器偏置在阈值以上零点几毫安时，可以辐射周期为几个亳微秒的很短（0.1毫微秒）的强（0.1瓦）脉冲。单个的均匀的光脉冲可由宽度直到几个亳微秒、幅度仅为零点几亳安的电流脉冲触发。这一行为是在对具有高电子陷阱密度（其他因素也是可能的）的器件进行计算机模拟时首次看到的。呈现这一行为的器件已在一组深质子轰击的AlGaAs条型激光器中发现。附加一个增益小于1的光电二极管，已构成简单的光波脉冲再生器。这一回路所辐射的光脉冲，具有6微微焦耳能量，小于0.2亳微秒的脉宽和比输入脉冲幅度高15倍的振幅。
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当可触发的半导体激光器偏置在阈值以上零点几毫安时，可以辐射周期为几个亳微秒的很短（0.1毫微秒）的强（0.1瓦）脉冲。单个的均匀的光脉冲可由宽度直到几个亳微秒、幅度仅为零点几亳安的电流脉冲触发。这一行为是在对具有高电子陷阱密度（其他因素也是可能的）的器件进行计算机模拟时首次看到的。呈现这一行为的器件已在一组深质子轰击的AlGaAs条型激光器中发现。附加一个增益小于1的光电二极管，已构成简单的光波脉冲再生器。这一回路所辐射的光脉冲，具有6微微焦耳能量，小于0.2亳微秒的脉宽和比输入脉冲幅度高15倍的振幅。
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