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本文论述了ＧａＮ的三种生长方法（即ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ和ＨＶＰＥ法）及关键技术，探讨了Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的发展趋势。
氮化物半导体的发展趋势
【摘 要】
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本文论述了ＧａＮ的三种生长方法（即ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ和ＨＶＰＥ法）及关键技术，探讨了Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的发展趋势。
【机 构】
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峨嵋半导体材料研究所
【出 处】
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四川有色金属
【发表日期】
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1998年3期
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