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物理所/北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组,与微加工实验室的顾长志研究组合作,设计并制备了一种新型n-ZnO/i—MgO/p—Si双异质结p—i-n可见肓紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性,在±2V时的整流比达到10^4以上。研究发现ZnO/Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应,器件只对高于ZnO带隙(380nm)的紫外光响应,因而具有可见肓紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比,该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能,紫外光响应强。并可直接在可见