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本文我们提出一种新的器件，它是根据非晶硅材料制成的，通过室温电容测量，能够直接探测红外辐射。该器件是一种ｐ－ｃ－ｎ型叠层结构，这里ｃ表示一层补偿的非晶蛙吸收层。器件的运转是基于价带内的扩展态和禁带内的缺陷之间的跃迁而进行的，跃迁是由约外辐射引起的。我们发现：测量的电容敏感于８０ｎｍ￣５μｍ波段。