高速CMOS模拟集成电路中的静电保护电路设计

来源 :江南大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hao999999

【摘要】

：

分析了静电放电(ESD)保护的基本原理,指出了传统的用于模拟电路的ESD保护电路在高速电路应用中的局限性.提出了在端口的栅极接地NMOS管和栅极接电源PMOS管的基础上,加上电源

【作者】

：

吴鹏何乐年陈曦

【机构】

：

浙江大学

【出处】

：

江南大学学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

：

静电放电保护人体模型片上保护栅极接地的NMOS ESD HBM on-chip protection ggNMOS

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分析了静电放电(ESD)保护的基本原理,指出了传统的用于模拟电路的ESD保护电路在高速电路应用中的局限性.提出了在端口的栅极接地NMOS管和栅极接电源PMOS管的基础上,加上电源与地之间的高速静电泻放回路(片上保护)的新电路结构.仿真结果表明,该电路满足USB2.0高速接口电路的ESD保护要求.试验测试结果表明该ESD保护电路在人体模式下的击穿电压在正负2 500 V以上,具有实际的应用意义.

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