【摘 要】
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本工作采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备了P型微晶硅氧窗口层薄膜,讨论了P型微晶硅氧的光电特性随硼烷掺杂率的变化。采用紫外-可见透射光谱,拉曼光谱,傅立
【机 构】
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中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司,河北大学物理科学与技术学院
【基金项目】
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华能集团科技项目（TW-13-CERI01）
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本工作采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备了P型微晶硅氧窗口层薄膜,讨论了P型微晶硅氧的光电特性随硼烷掺杂率的变化。采用紫外-可见透射光谱,拉曼光谱,傅立叶变换红外吸收光谱（FTIR）,暗电导测量对薄膜的光电特性进行了表征。结果表明,P型微晶硅氧材料均表现为微晶态,随着硼烷掺杂率增加,晶化程度逐步降低,暗电导率快速减小,光学带隙持续降低。该结果可归因于硼烷掺杂的增加抑制晶化使得非晶成分增多,有效掺杂率降低导致薄膜电导率下降,另一方面,对硅氧物相分离的阻碍作用导致薄膜带隙下降。硼烷掺
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