IGCT门极驱动电路的原理分析

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【摘要】

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在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等,这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导

【作者】

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郑小刚谢军

【机构】

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安徽理工大学,安徽职业技术学院

【出处】

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能源技术与管理

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

IGCT 门极驱动电路硬驱动

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在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等,这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷.ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件-IGGT.它的关键思想是将改进结构的GTO与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接.在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件.着重对IGGT门板驱动电路的结构和原理进行了介绍和分析.

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