【摘 要】
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采用二维声子晶体四端口模型,提出了四阶散射矩阵理论描述二维声子晶体的方法。首先,考虑声子晶体在平面的二维特性,建立四端口的四阶散射矩阵。为了得到散射矩阵的参数,构建
【机 构】
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中国科学院声学研究所,北京理工大学光电学院
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采用二维声子晶体四端口模型,提出了四阶散射矩阵理论描述二维声子晶体的方法。首先,考虑声子晶体在平面的二维特性,建立四端口的四阶散射矩阵。为了得到散射矩阵的参数,构建了叉指换能器中间放置声子晶体的器件模型,叉指换能器作为激发和接收端,声子晶体作为传输通道。然后,通过有限元软件计算出模型的电学参数,分别结合叉指换能器和声子晶体的混合矩阵(P矩阵)和四端散射矩阵,推导和计算出四阶散射矩阵的参数值。作为实例,128°YX铌酸锂基片上,制作了叉指换能器和圆柱孔声子晶体点阵,理论和实验上均得到反射、透射和散
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