1.25Gb/s InP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成

来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lideqiang163com

【摘要】

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描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和

【作者】

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李献杰曾庆明徐晓春敖金平赵方海杨树人柯锡明王志

【机构】

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河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051吉林大学集成光电子学国家重点实验室,长春,130023河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室,石家庄,050051;吉林大学集成光电

【出处】

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城市道桥与防洪

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

：

光发射单片集成光电集成电路

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描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.

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