【摘 要】
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AuGe合金具有接触电阻低与GaAs衬底粘附性好等特点,广泛应用于金属/半导体（M/S）器件中以形成欧姆接触.在GaAs表面蒸镀AuGe/Au材料,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜（S
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AuGe合金具有接触电阻低与GaAs衬底粘附性好等特点,广泛应用于金属/半导体（M/S）器件中以形成欧姆接触.在GaAs表面蒸镀AuGe/Au材料,经不同温度快速热退火后,使用扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱分析仪（XPS）和X射线衍射仪对样品欧姆接触的界面特性进行了分析。随着退火温度的升高,接触电阻呈现V型趋势,AuGe部分分解,Au、Ge向GaAs界面扩散,Ga、As向金属层扩散,金属表层出现暗灰色孔状物,主要成分为AuGa、AuGaAs等,此外Ge、Ga的结合能增加0.3～0.6 eV,
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