【摘 要】
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基于芯片/磨粒/抛光垫的微观接触力平衡关系,建立了考虑抛光垫/磨粒大变形和粘着力效应的微观接触模型，模型预测结果表明：对于Cu和SiO2芯片而言,粘着力对磨粒所受外力具有重要
【基金项目】
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江苏省自然科学基金(批准号:BK2004020);教育部回国人员启动基金(批准号:[2004]527);清华大学摩擦学国家重点实验室开放基金(批准号:SKLT04-06)资助项目~~
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基于芯片/磨粒/抛光垫的微观接触力平衡关系,建立了考虑抛光垫/磨粒大变形和粘着力效应的微观接触模型，模型预测结果表明：对于Cu和SiO2芯片而言,粘着力对磨粒所受外力具有重要影响作用；考虑粘着力的情况下,单个磨粒压入芯片的深度比未考虑粘着效应时,最大为原来的2倍和4倍。然而,即使考虑粘着效应时,磨粒压入芯片的深度仍然在分子量级。因此,认为CMP材料的去除机理为单分子层去除机理，为深入研究CMP材料原子/分子去除机理提供了一定的理论指导。
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