【摘 要】
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在微惯性器件加工中，ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放．工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm，刻蚀深度为40μm，刻蚀的深宽比为20：1，接近刻蚀设备A601E的加工极限．为了提
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在微惯性器件加工中，ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放．工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm，刻蚀深度为40μm，刻蚀的深宽比为20：1，接近刻蚀设备A601E的加工极限．为了提高刻蚀精度，减小根切和底切效应，本文介绍了一种实现微结构刻蚀的ICP分步工艺的新方法，采用不同的刻蚀工艺条件，初始阶段减小底切效应，减小线条损失，刻蚀的中间阶段保证刻蚀速度，刻蚀的最终阶段减小侧向刻蚀，提高结构释放的一致性．同时通过在刻蚀结构的背面生长200nm厚Al膜对等离子体的吸附作用减小了根切效应，提高了刻蚀的精
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