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研究了含N超薄栅氧化层的击穿特性。含N薄栅氧化层是先进行900℃干氧氧化5min，再把SiO2栅介质放入1000℃的N2O中退火20min而获得的，栅氧化层厚度为10nm。实验结果表明，在栅介质中引入适量的N可以明显地起到抑制栅介质击穿的作用。分析研究表明，N具有补偿SiO2中O3≡Si·和Si3≡Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱的作用，从而可以减少补始固定正电荷和Si/SiO2界面态，因此提高了栅氧化层的抗击穿能力。