【摘 要】
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利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院功能材料物理与化学自治区重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（51262022）,内蒙古师范大学“十百千”人才工程资助项目（RCPY-2-2012-K-041）
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利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性。实验表明:多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550~650℃范围内,硅薄膜始终表现出(111)方向的择优生长取向。当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加。对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落。
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