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对采用等离子增强化学气相淀积法（PECVD）制备的氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜进行了退火释H2实验,并对三文治结构膜层生长工艺作了改进。红外透射光谱表明：提高退火温度及增加退火时间会造成Si-H键断裂释放H2影响器件结构完整;不断改进设计,最终采用精简有效热敏面积及将退火工艺提前以扩张释H2渠道的方案,获得600℃退火后仍保持完整三文治结构的优化设计流程。