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采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明，在低温下，AlN单晶显露面为（0001）面，随着温度的升高，AlN单晶显露面转化为（11^-20）面。沟槽结构是高温下得到的AlN单晶共有的显著特征，其取向沿[0001]方向。
透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性
【摘 要】
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采用透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术对氮化硼坩埚中自发成核的AlN单晶生长习性进行了研究。结果表明，在低温下，AlN单晶显露面为（0001）面，随着温度的升高，AlN单晶显露面转化为
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2008年5期
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