【摘 要】
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以10％质量分数SnO2和90％质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材，采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜，研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和
【机 构】
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武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室
【基金项目】
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武汉理工大学校基金(No.2003XJJ025)资助项目
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以10％质量分数SnO2和90％质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材，采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜，研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响。实验结果表明：ITO薄膜的方块电阻随衬底温度的升高而下降，而可见光透过率增大；ITO薄膜可见光透过率和方块电阻随氧分压的增加而增大。
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