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在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1000小时.
在ELO-GaN衬底上生长的AlGaInN高功率激光器
【摘 要】
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在ELO-GaN基层上用激光进行条状化处理,可以明显地改善AlGaInN激光二极管的位错密度和界面的粗糙度.其结果是可使激光二极管的寿命,在50℃,30mW输出的连续工作条件下超过1000
【机 构】
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DevelopmentCenter
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2001年z1期
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