【摘 要】
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本文提出一种用高压蒸煮来处理LPCVD氮化硅膜的表面,可以抑制使用中慢氧化的方法。使用这种处理可以提高pH-ISFET的灵敏度、线性响应范围和稳定性。在此基础上,再用HF进行表
【机 构】
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南开大学电子科学系 天津 300071
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本文提出一种用高压蒸煮来处理LPCVD氮化硅膜的表面,可以抑制使用中慢氧化的方法。使用这种处理可以提高pH-ISFET的灵敏度、线性响应范围和稳定性。在此基础上,再用HF进行表面改性处理,不仅使pH-ISFET的灵敏度提高到接近能斯特(Nernst)理论值,而且稳定性也有一定的改善。
This paper presents a method of treating the surface of an LPCVD silicon nitride film by autoclaving to suppress slow oxidation during use. Use this treatment can improve the pH-ISFET sensitivity, linear response range and stability. On the basis of this, the surface modification with HF again not only increases the sensitivity of pH-ISFET close to the Nernst theory, but also improves the stability.
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