【摘 要】
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本文通过对 GaAsMESFET 直流特性的理论分析,提出一个能起衡量 GaAsMESFET 微波特性作用的低频优值。并借助电子计算机,计算了各种栅长下的低频优值,以及它们与栅偏压的函数
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本文通过对 GaAsMESFET 直流特性的理论分析,提出一个能起衡量 GaAsMESFET 微波特性作用的低频优值。并借助电子计算机,计算了各种栅长下的低频优值,以及它们与栅偏压的函数关系,确定出低频优值与沟道参数的关系,明确了提高低频优值的途径,最后论证了低频优值与微波特性(特别是噪声系数)的相关性。
Based on the theoretical analysis of the DC characteristics of GaAsMESFETs, this paper presents a low-frequency optimal value that can measure the microwave characteristics of GaAsMESFETs. And by means of electronic computer, the low frequency excellent values under various gate lengths and their relation with gate bias are calculated, the relationship between low frequency optimal value and channel parameters is determined, and the way to improve the low frequency optimal value is clarified. Finally, The correlation between low-frequency gifted values and microwave characteristics (especially noise figure).
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