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衬底晶向偏离度对Ｐ型（１００）硅外延埋层图形畸变影响奶大，在通常的外延生长条件下，当Ｐ型（１００）衬底主晶明最近（１１０）方向偏离２－３°时，可得到十分满意的埋层图形，这个结果对于修订标准具有参考价值，本文从外延生长的微观机制出发，对产生埋层外延图形畸挛原因和实验结果进行了分析。
P〈100〉Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响
【摘 要】
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衬底晶向偏离度对Ｐ型（１００）硅外延埋层图形畸变影响奶大，在通常的外延生长条件下，当Ｐ型（１００）衬底主晶明最近（１１０）方向偏离２－３°时，可得到十分满意的埋层图形，这个结果对于修订标准具有参考价值，本文
【机 构】
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河北工学院材料研究中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年4期
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