【摘 要】
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本文从表面载流子数涨落机构出发,对MOSFET的1/f噪声性质作了较全面的理论和实验研究。将MOSFET的表面1/f噪声理论推广到了所有的偏置区,包括沟道均匀区,线性区和饱和区。对M
【机 构】
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西北电讯工程学院,西北电讯工程学院
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本文从表面载流子数涨落机构出发,对MOSFET的1/f噪声性质作了较全面的理论和实验研究。将MOSFET的表面1/f噪声理论推广到了所有的偏置区,包括沟道均匀区,线性区和饱和区。对MOSFET的等效输入噪声电压的频率特性、偏置特性和几何特性等进行了实验测试,结果表明与理论规律符合良好。
In this paper, starting from the mechanism of surface carrier number fluctuations, a more comprehensive theoretical and experimental study on the 1 / f noise properties of MOSFETs is made. MOSFET surface 1 / f noise theory is extended to all the offset area, including the channel uniform area, linear area and saturation area. The frequency characteristics, bias characteristics and geometric characteristics of the equivalent input noise voltage of the MOSFET have been experimentally tested. The results show that the theoretical law is in good agreement.
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