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依据上华CSMC 1μm25V工艺设计了一款高压微功耗LDO电源芯片。芯片采用缓冲级(buffer)的动态减小阻抗技术和级联密勒补偿方法,使LDO在全负载电流范围内,单位增益带宽内只有一个极点,在没有使用左半平面零点补偿的基础上,可保证LDO的相位裕度,实现了LDO良好的频率稳定性。LDO空载电流仅为5μA,芯片面积仅为0.9mm×0.9mm。