【摘 要】
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针对低方阻、高透光度透明导电膜的要求,利用薄膜光学干涉原理,设计了ITO+SiO2复合型的透明导电膜;研究了基底温度、沉积速率、充氧量等工艺参数对ITO膜的影响;利用优化的工
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针对低方阻、高透光度透明导电膜的要求,利用薄膜光学干涉原理,设计了ITO+SiO2复合型的透明导电膜;研究了基底温度、沉积速率、充氧量等工艺参数对ITO膜的影响;利用优化的工艺参数成功制备了复合透明导电膜。测试结果表明,膜层性能优异,能够满足使用要求。
According to the requirement of low resistance and high transparency transparent conductive film, ITO + SiO2 composite transparent conductive film was designed by using the principle of thin film optical interference. The effects of substrate temperature, deposition rate, ; The composite transparent conductive film was successfully prepared by using optimized process parameters. Test results show that the film performance, to meet the requirements.
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