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采用量子输运模型和NEGF理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg为5-25 nm时,其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明：当Lg≥15 nm时,MOS-CNTFET没有量子尺寸效应;当Lg〈15 nm时,器件出现短沟道效应;Lg〈10 nm时短沟道效应更加明显。