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本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素，分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性，研究表明，受载流子冻析效应的影响，基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升，使晶体管的频率性能变坏；而由于浅能级杂质的陷阱效应，低温下基区和发射区渡越时间变长，截止频率下降，这些因素在低温器件设计中应予重视。