离子层气相反应法（ILGAR）制备CulnS2薄膜的研究

来源 :无机化学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jifengrgj

【摘要】

：

CuInS2 thin films have been prepared by ion layer gas reaction (ILGAR) using C2H5OH as solvent, CuC1and InCl3 as reagents and H2S gas as sulfuration source. The

【作者】

：

邱继军靳正国钱进文石勇武卫兵

【机构】

：

天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室

【出处】

：

无机化学学报

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

NS2 C2H5OH XPS INCL3 离子薄膜 UV-VIS XRD SEM CuInS2 thin films ILGAR methods C2H5

【基金项目】

：

天津市重点基础研究项目(No.F103004)资助

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CuInS2 thin films have been prepared by ion layer gas reaction (ILGAR) using C2H5OH as solvent, CuC1and InCl3 as reagents and H2S gas as sulfuration source. The effects of cationic concentrations and numbers of cycle on the properties of CuInS2 film were

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