【摘 要】
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作者运用ＤＶ－Ｘ原子团（ｃｌｕｓｔｅｒ）法进行了电子状态模拟，此法与能带计算法不同，属于能很好地表示出第３添加元素或氢原子周围局部区域电子状态的一种计算方法。这种方法不仅适用于结构材料，也适用于
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作者运用ＤＶ－Ｘ原子团（ｃｌｕｓｔｅｒ）法进行了电子状态模拟，此法与能带计算法不同，属于能很好地表示出第３添加元素或氢原子周围局部区域电子状态的一种计算方法。这种方法不仅适用于结构材料，也适用于贮氢合金和钙钛矿型质子传导性氧化物之类功能材料的设计．结晶中
The author uses the DV-X cluster method to simulate the electronic states. This method is different from the band counting method and is a calculation method that can well represent the electronic state of the third additive element or the local region around hydrogen atoms. This method is not only suitable for structural materials, but also for the design of functional materials such as hydrogen storage alloys and perovskite proton conductive oxides. Crystallization
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