【摘 要】
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本文中,我们对液相外延生长的掺Ge-p型Ga_(1-x)Al_xAs(x
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,
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本文中,我们对液相外延生长的掺Ge-p型Ga_(1-x)Al_xAs(x<0.4)作了77K的光致发光测定。确定了与Ge有关的三个光谱峰,其能量分别是E_G=1.17x+1.48eV,1.46-1.47eV和～1.53eV。E_G是Ge受主能级;1.46-1.47eV是Ge与砷空位(V_(As))的络合物;～1.53eV是否Ge与铝空位(V_(Al))或镓空位(V_(Ga))形成络合物产生的受主能级有待继续研究。
In this paper, we measured the photoluminescence of Ge-p type Ga 1-x Al x AsAs (x <0.4) by liquid-phase epitaxial growth. The three spectral peaks associated with Ge were determined with energies of E_G = 1.17x + 1.48eV, 1.46-1.47eV and ~ 1.53eV, respectively. E_G is the Ge acceptor level; 1.46-1.47 eV is a complex of Ge and arsenic vacancies (V_As); ~ 1.53 eV is Ge and aluminum vacancies (V_Al) or gallium vacancies (V_ (Ga) ) The acceptor energy levels generated by complex formation are to be studied further.
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