InP基及含磷化合物HBT材料的GSMBE生长与特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hzjiawei333

【摘要】

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通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和

【作者】

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齐鸣徐安怀艾立鹍孙浩朱福英

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年z1期

【关键词】

：

InP INGAP GaAs GSMBE HBT

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)

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通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.

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