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采用球壳结构和渐变有限深谐振子势阱模型，分析了界面效应对弱受限半导体量子点异质结的束缚态电子基态能级的扰动情况。计算表明，对于处于弱受限的量子点，异质结厚度在30nm内界面效应明显。当异质结壳层厚度进而增大的时候界面效应的影响将逐渐减弱，受扰动的基态能级间隔逐渐减小，到最后各基态能简并为某一固定值。