【摘 要】
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在实用的透明导电氧化物(TCO)薄膜中,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制.如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大,每个掺杂离子可以提供较多的自
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在实用的透明导电氧化物(TCO)薄膜中,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制.如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大,每个掺杂离子可以提供较多的自由载流子,则使用较少的掺杂量就可以获得足够多的自由载流子,而且可以获得较高的载流子迁移率和减少薄膜对可见光的吸收,是提高TCO薄膜性能的一条捷径.采用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟(In2O3:Mo,简称IMO)薄膜中,Mo6+与In3+的化合价态相差3,远大于广泛研究和应用的TCO薄膜材料In2O3:Sn、SnO2:F和ZnO:Al中的价态差
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