【摘 要】
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对基于InGaAs材料体系的金属-半导体-金属（metal-semiconductor-metal,MSM）光电探测器进行设计,并对其暗电流、光电流、电容以及截止频率等性能参数进行仿真。通过添加InAlAs肖
【机 构】
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河南质量工程职业学院,军械工程学院电子与光学工程系,中国人民解放军61699部队
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对基于InGaAs材料体系的金属-半导体-金属（metal-semiconductor-metal,MSM）光电探测器进行设计,并对其暗电流、光电流、电容以及截止频率等性能参数进行仿真。通过添加InAlAs肖特基势垒增强层,将探测器的暗电流减小到了pA量级。仿真结果表明,探测器在光照下有明显的光响应,通过合理设计器件结构,探测器的工作频率可以达到1.5THz。制备了探测器样品,并对其暗电流和光响应进行了测试,测试结果与仿真结果基本吻合。
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