论文部分内容阅读
用液封坩埚子降（ＬＥ－ＶＢ）法沿晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶。ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光，与Ｚｎ受主相关的施主－受主对发光及其声子伴线、以及本征缺陷有关的深能级发光三部分。
液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究
【摘 要】
：
用液封坩埚子降（ＬＥ－ＶＢ）法沿晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶。ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光，与Ｚｎ受主相关的施主－受主对发光及其声子伴线、以及本征缺陷有关的深能级发
【机 构】
：
厦门大学物理系,昭和电工秩父场
【出 处】
：
发光学报
【发表日期】
：
1997年3期
【基金项目】
：
国家和福建省自然科学基金,留学回国人员启动基金
其他文献
在国家同步辐射实验室的时间分辨光谱站（Ｕ１０Ｂ光束线）研究掺杂Ｅｕ＾２＋的卤磷酸盐；（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ＾２＋样品和（Ｃａ，Ｓｒ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ＾２＋的真空紫外辐照特性，反射光谱，前者在１８５ｎｍ光的激发下，６０分钟内没有观察到明显的发光强度下降，而后者在１８５ｎｍ光的激发下
对几种有机／聚合物电致发光材料的能带结构进行了表征，设计了几种结构的器件，并对它们进行了性质比较，结果表明，通过各种材料间合理的能带匹配，可以获得综合性能较好的电致发光器件
在不同条件下合成了ＺｎＳ：Ｍｎ水溶胶；ＺｎＳ：Ｍｎ微粒的尺寸与溶液ｐＨ，Ｓ＾２－浓度等有关。ｐＨ〉７时所得样品因氧化致使其颜色随ｐＨ的增加而由白色向棕色变化。Ｍｎ＾２＋离子的特征发射强度亦受合成条件影响。
根据频率分辨率极限和光学分辨经极限，用解析理论的精确公式设计了导波声光频谱仪集成光路，用单点金刚石超精加工和凹面波导制备工艺，研制成Φ１２ｍｍ双孔非球面短程透镜型导波声光频谱
采用从头算方法（ＲＨＦ／４－３１Ｇ）和半经验方法ＡＭ、ＰＭ３对几种多环芳烃化合物电致发光（ＥＬ）材料的性质进行了理论研究。并对三联苯作了构象分析，找出能量最低的构象，即两侧苯环分别城外各扭转４１．６°±０．５&#
制备了ＣａＳ：Ｂｉ粉末发光材料，用Ｘ射线衍射分析了材料的晶体结构，测量了其激发光谱，发射光谱和直流电致发光光谱，蓝色发光峰位于４５０ｎｍ。
本文介绍了一种用波长为８０９ｎｍ的激光二极管端面泵浦厚度为１ｍｍ的微片Ｎｄ：ＹＶＯ４全固体固体激光器，器件结构上采用了一种独特的光学系统，该系统由分别用于ＬＤ激光束的耦合和聚焦的两部分组成。
研究了不同Ｍｎ的化合物掺杂在不同退火处理条件下对ＺｎＳ：Ｍｎ，Ｃｕ，ＡＣＥＬ粉末的发光亮度的影响，在低温下扩散Ｍｎ＾２＋掺杂的方法，有效降低了Ｍｎ盐中其它杂质对发光的影响，和直接高温法制备的ＺｎＳ：Ｍｎ，ＣｕＡＣＥＬ材料相比，提高了材料的发
通过方酸菁与卟啉相互作用的研究证实，方酸菁可以作为很好的能量受体发红光利用这一原理，用方酸菁掺杂于８－羟基喹啉铝作为发光层，获得了红光有机薄膜电致发光器件，为了说明相关的机
利用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备了掺杂固溶半导体ＺｎＸｃＤ１－Ｘ的ＳｉＯ２玻璃。吸收光谱研究表明 材料的吸收边随Ｚｎ含量的增加而向短波方向移动；温度提高有利于生成较完整的晶粒，以短脉冲激光为激发光源对材料的光致发