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测量了石墨和纳米碳在不同温度下的正电子寿命谱，研究了石墨和纳米碳中缺陷和电子密度随温度的变化．结果表明。纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体；纳米碳的平均自由电子密度低于石墨晶体,当温度从25K升至295K时，石墨和纳米碳中的平均自由电子密度随温度的升高而下降：石墨晶体中的自由电子密度随温度的升高变化较小；纳米碳的自由电子密度随温度的升高变化较大,随着温度的升高，石墨和纳米碳中的热空位数量增多，而且这些空位可迁移至微孔洞的内表面使微孔洞的开空间增大。